Previous Page  373 / 530 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 373 / 530 Next Page
Page Background

Актуальные проблемы в машиностроении. 2016. №3

Материаловедение

в машиностроении

____________________________________________________________________

373

а

б

в

г

Рис. 3.

Микроструктура порошкового покрытия в целом и особенности строения его

характерных зон (обозначение зон цифрами - то же, что на рис. 2) при газотермическом

напылении:

а

- покрытие в целом (травление 5% HNO

3

),

б

- зона 1 сцепления с основой,

в

-

средняя зона 2,

г

- внешняя зона покрытия – 3 (

б,в,г

- термоокислительное травление)

Из приведённых данных следует, что неоднородность полей температуры и скорости

в потоке плазмы способствует одновременному существованию в его сечении частиц,

имеющих значительные отличия по тепловой и кинетической энергии и даже находящихся в

различных агрегатных состояниях. Это, а также наличие на поверхности частиц оксидных

пленок, выделение адсорбированного частицами газа приводит к пористости покрытия (14—

18%), то есть снижает качество покрытий при плазменном напылении.

Материалы и методики исследований

В стремлении повысить качество напылённого покрытия усовершенствована

конструкция плазмотронов. Наиболее перспективным, с точки зрения получения

осесимметричного высокотемпературного гетерогенного потока, является использование

узла кольцевого ввода порошка. Использование узла кольцевого ввода способствует более

эффективному нагреву частиц и увеличению производительности обработки по сравнению с

односторонним точечным вводом (рис. 4)

8,9

.

Повысить эффективность работы плазмотрона позволила также небольшая добавка

пропана (в смеси с воздухом) перед анодом (завеса анода). Пропан связывает кислород в

пограничном слое плазменного потока и, таким образом, резко снижает эрозию анода, т.к.

основной механизм эрозии на воздухе - окислительный. Снижение эрозии – это не только

повышенный ресурс работы плазмотрона, но и получение чистой плазмы (практически без

продуктов эрозии).