Young Scientist School – 2016

Young Scientist School – 2016 ____________________________________________________________________ 30 В качестве тестового измерения было проведено исследование поведения системы кубит − резонатор при изменении постоянного внешнего магнитного поля, приложенного к кубиту. Изменение внешнего магнитного поля достигалось путем изменения постоянного тока в катушке, которая расположена внутри криостата в непосредственной близости к образцу. При достижении тока, который соответствует половине кванта потока Ф 0 , происходит поглощение фотона кубитом. На передаточной характеристике системы это отражается в уменьшении коэффициента прохождения сигнала в регистрируемой полосе частот. Была получена характеристика зависимости амплитуды сигнала на резонансной частоте от внешнего магнитного потока, представленная на рис. 3. Минимум амплитуды соответствует магнитному потоку, приложенному к кубиту, равному Ф 0 /2, где Ф 0 — квант магнитного потока. . Рис. 3. Зависимость амплитуды сигнала на выходе структуры сверхпроводниковый кубит - резонатор от внешнего магнитного потока. Выводы В данной работе, была продемонстрирована измерительная система для исследования сверхпроводниковых потоковых кубитов, основу которой составляет разработанный криогенный усилитель. Основой усилителя являются гетероструктурные биполярные SiGe транзисторы. Экспериментальные данные показали, что в полосе от 100 MHz до 4 GHz коэффициент усиления составил 35 dB при температуре эксперимента 800 mK . Приводится результат измерения коэффициента передачи | S 21| сверхпроводникового кубита, связанного с высокодобротным копланарным резонатором от частоты, с помощью системы измерения, основанной на разработанном 5-каскадном усилителе в режиме сверхмалой мощности. Полученный результат указывает на его малую шумовую температуру и мощность диссипативных потерь и позволяет использовать предложенный криогенный усилитель в системах измерения сигналов на выходе сверхпроводниковых квантовых битов, связанных с копланарным резонатором. Список литературы 1. Schleeh J., Alestig G., Halonen J., et. al. // IEEE Electr. Dev. Lett. 2012. V. 33. No. 5 . P.